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Si7172DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
30
25
V GS = 10 thru 6 V
5
4
T C = - 55 °C
20
3
15
V GS = 5 V
2
T C = 25 °C
10
T C = 125 °C
5
0
V GS = 4 V
1
0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
0.10
0.09
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
3600
3000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.0 8
2400
C iss
0.07
0.06
V GS = 6 V
V GS = 10 V
1 8 00
1200
0.05
0.04
600
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
25
30
0
40
8 0
120
160
200
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 5.9 A
8
2.3
2.0
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V GS = 10 V , I D = 5.9 A
V DS = 100 V
1.7
6
4
2
0
V DS = 160 V
1.4
1.1
0. 8
0.5
V GS = 6 V, I D = 5.7 A
0
11
22
33
44
55
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 68763
S-81730-Rev. A, 04-Aug-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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